SQJ412EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
Deutsch
Artikelnummer: | SQJ412EP-T1_GE3 |
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Hersteller / Marke: | Vishay / Siliconix |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $2.44 |
10+ | $2.19 |
100+ | $1.7603 |
500+ | $1.4463 |
1000+ | $1.1984 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PowerPAK® SO-8 |
Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.1mOhm @ 10.3A, 10V |
Verlustleistung (max) | 83W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | PowerPAK® SO-8 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5950 pF @ 20 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 120 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 32A (Tc) |
Grundproduktnummer | SQJ412 |
SQJ412EP-T1_GE3 Einzelheiten PDF [English] | SQJ412EP-T1_GE3 PDF - EN.pdf |
MOSFET N-CH 100V 27A PPAK SO-8
MOSFET N-CH 100V 27A POWERPAKSO
MOSFET P-CH 12V 60A PPAK SO-8
MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8
MOSFET P-CH 40V 30A PPAK SO-8
VISHAY SOT669
MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8
MOSFET N-CH 30V 32A PPAK SO-8
MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
VISHAY POWERPAKSO-8L
MOSFET P-CH 12V 60A POWERPAKSO-8
VISHAY PAKSO-8L
P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() SQJ412EP-T1_GE3Vishay Siliconix |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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